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ELMOS Semiconductor AG: Kontaktlose Strommessung mit hoher Genauigkeit

ELMOS Semiconductor AG / Schlagwort(e): Produkte/Innovationen/
ELMOS Semiconductor AG: Kontaktlose Strommessung mit hoher Genauigkeit

DGAP-Media / 19.06.2012 / 14:00

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Sensorsystem E524.50 für bis zu 500 kHz AC

ELMOS präsentiert mit dem E524.50 ein Sensorsystem zur präzisen
Strommessung. Das System besitzt eine kleine Bauform, arbeitet galvanisch
getrennt vom Primärstrom, hat eine hohe Dynamik und beinhaltet bereits eine
kundenseitig konfigurierbareÜberstromerkennung. Montagetoleranzen können
in der Applikation durch eine Kalibration von Nullpunkt und Empfindlichkeit
ausgeglichen werden, wodurch eine hohe Genauigkeit des Systems erreicht
wird. Das Sensorsystem besteht aus der Sensorzelle, die Signalaufbereitung
sowie zwei Permanentmagneten zur Erzeugung eines magnetischen Stützfeldes
für das Sensorelement.

Mögliche Einsatzfelder sind Elektrofahrzeuge und Batteriemanagement sowie
Wechselrichter für Solar- und Windenergieanlagen.

Der E524.50 basiert auf dem Anisotropen Magneto-Resistiven (AMR) Effekt.
Das System misst das durch den Primärleiter erzeugte Magnetfeld, wobei die
empfindliche Achse in der Ebene des Sensorelementes liegt. Die Größe des
AMR-Effektes macht einen Flux-Konzentratorüberflüssig. Durch die
verwendeten schnellen Verstärker in der rückkopplungsgeregelten Schaltung
(Closed-Loop-Prinzip) ergibt sich die hohe Bandbreite von DC bisüber 500
kHz AC, was insbesondere die schnelle Erkennung der tatsächlichen Größe von
Pulsflanken ermöglicht. Die typische Genauigkeitsabweichung beträgt 1,5% FS
(Full Scale, max. Ausgangssignal)über den gesamten Temperaturbereich von
-40 C bis +125 C, und liegt damit deutlich unter den typischen Toleranzen
von etwa 5% FS Hall-Effekt basierter Stromsensoren.

Ein spezielles Leadframe zusammen mit einer fortschrittlichen
Verpackungstechnologie ermöglichen eine ,System-In-Package– Lösung (SIP):
alle Systemkomponenten zur Erfassung des Primärstromes sind per Standard
Mold-Verfahren in einem JEDEC-kompatiblen SOIC16 Gehäuse zusammengefasst.
Zusätzliche Bestückvorgänge (Through-the-Hole) oder zusätzliche
Lötverfahren (z.B. Wellenlöten) zur Fertigung der Leiterplatte sindüberflüssig.

Die Magnetfelddifferenz wird dadurch erzeugt, das der Primärleiter U-förmig
unter dem Sensorgehäuse geführt wird. Der Sensor befindet sich auf der
Symmetrieachse des U. Durch Variation der Geometrie des Primärleiters kann
das benötigte differentielle Magnetfeld am Ort des Sensors für
verschiedenen Strombereiche und Anwendungen optimal eingestellt werden.
Damit wird nur ein Stromsensor für einen weiten Bereich unterschiedlicher
Primärströme benötigt.

Für mehr Informationen, Datenblätter, Applikationsbeschreibung und Muster
schreiben Sie bitte eine E-Mail an sales@elmos.com mit dem Betreff
–E524.50–, besuchen Sie unsere Internetseite www.elmos.com oder nehmen per
Telefon Kontakt mit uns auf: + 49 231 7549 100.

Die ELMOS Semiconductor AG ist Entwickler und Hersteller von Systemlösungen
auf Halbleiterbasis. Seitüber 25 Jahren machen unsere Chips Fahrzeuge und
Industrie- sowie Konsumgüterprodukte energiesparender und effizienter.

Kontakt: ELMOS Semiconductor AG, Mathias Kukla, Heinrich-Hertz-Str. 1,
44227 Dortmund, Telefon: 0231-7549-0, Direkt: -199, Fax: 0231-7549-548,
eMail: info@elmos.com, www.elmos.com

Ende der Pressemitteilung

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19.06.2012 Veröffentlichung einer Pressemitteilung,übermittelt durch
die DGAP – ein Unternehmen der EquityStory AG.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber
verantwortlich.

Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten,
Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen.
Medienarchiv unter http://www.dgap-medientreff.de und
http://www.dgap.de

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Sprache: Deutsch
Unternehmen: ELMOS Semiconductor AG
Heinrich-Hertz-Str. 1
44227 Dortmund
Deutschland
Telefon: +49 (0)231 7549-575
Fax: +49 (0)231 7549-548
E-Mail: invest@elmos.com
Internet: http://www.elmos.com
ISIN: DE0005677108
WKN: 567710
Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard);
Freiverkehr in Berlin, Düsseldorf, Hamburg, München,
Stuttgart

Ende der Mitteilung DGAP-Media
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174511 19.06.2012

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