Samsung Electronics produziert industrieweit erstes 3D V-NAND Flash Memory mit 256Gigabit (FOTO)

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich innovative
Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des industrieweit
ersten dreidimensionalen (3D) Vertical NAND (V-NAND) Flash Memorys
mit 48 vertikal gestapelten Lagen, bestehend aus 3bit MLC-Arrays
(Multi Level Cell), begonnen. Der neue Flash-Speicher mit einer
Kapazität von 256Gb (gigabit) wurde für den Einsatz in SSDs (Solid
State Drives) entwickelt.

„Mit der Markteinführung unseres V-NAND Flash Memorys der dritten
Generation können wir jetzt die besten fortschrittlichen
Speicherlösungen anbieten, die eine noch höhere Effizienz, basierend
auf gesteigerter Leistungsfähigkeit, Leistungsausnutzung und
Fertigungsproduktivität, erreichen und somit das Wachstum der
High-Performance- und High-Density-SSD-Märkte beschleunigen,“ sagt
Young-Hyun Jun, President des Memory Business bei Samsung
Electronics. „Durch die komplette Nutzung der ausgezeichneten
Leistungsmerkmale von Samsung V-NANDs werden wir unser
Premium-Geschäft in den Enterprise- und Data-Center-Marktsegmenten
sowie im Konsumermarkt erweitern und zugleich unseren strategischen
SSD-Fokus weiter stärken.“

Samsungs neues 256Gb 3D V-NAND Flash Memory verdoppelt die
Speicherkapazität herkömmlicher 128Gb NAND Flash Chips. Zusätzlich zu
der Möglichkeit, eine Speicherkapazität von 32gigabyte (256gigabit)
auf einem „Die“ unterzubringen, verdoppelt der neue Chip leicht die
Kapazität von Samsungs vorhandenen SSD-Angeboten und ist eine ideale
Lösung für Multi-Terabyte SSDs.

Samsung hat die 32-lagigen V-NAND Chips seiner zweiten Generation
(3bit MLC V-NAND) im August 2014 vorgestellt. Seine V-NAND Chips der
dritten Generation mit 48 Lagen (3bit MLC V-NAND) wurden in nur einem
Jahr präsentiert. Das Unternehmen setzt damit seine Führungsposition
in der 3D-Memory-Arena weiter fort.

Im neuen V-NAND-Chip nutzt jede Zelle die gleiche 3D CTF-Struktur
(Charge Trap Flash), bei der die Zellen-Arrays vertikal gestapelt
sind, um eine 48-stöckige „Masse“ zu bilden, die elektrisch über etwa
1,8 Mrd. Channel-Löcher durch die Arrays, hergestellt mit einer
Spezial-Ätztechnologie, verbunden sind. Insgesamt enthält jeder Chip
über 85,3 Mrd. Zellen. Jede Zelle kann 3bit Daten speichern, was 256
Mrd. bit Daten ergibt. In anderen Worten 256Gb auf einem Chip nicht
größer als eine Fingerkuppe.

Ein 48-lagiger V-NAND Flash Chip (3bit MLC) mit 256Gb verbraucht
beim Speichern des gleichen Datenvolumens 30 Prozent weniger Energie
als ein 128Gb V-NAND Chip (3-bit MLC) mit 32 Lagen. In der Fertigung
erreicht der neue Chip gegenüber seinem Vorgänger mit 32 Lagen eine
etwa 40 Prozent höhere Produktivität. Dies sorgt im Hinblick auf die
Kosten für eine erhöhte Wettbewerbsfähigkeit auf dem SSD-Markt,
während hauptsächlich bereits vorhandenes Equipment genutzt wird.

Samsung plant, V-NAND Memory der dritten Generation für den Rest
des Jahres 2015 zu produzieren, um den Einsatz von SSDs mit
Kapazitäten im Terabyte-Bereich zu beschleunigen. Parallel zur
Einführung von SSDs mit Kapazitäten von zwei Terabyte und mehr für
Konsumer plant Samsung auch, seinen Umsatz mit High-Density SSDs für
die Enterprise- und Data-Center-Storage-Märkte mit modernsten PCIe
NVMe und SAS-Schnittstellen zu steigern.

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Haushaltgeräten, LTE-Netzwerk-Systemen, Medizintechnik bis hin zu
Halbleitern und LED-Lösungen. Unsere Initiativen, unter anderem in
den Bereichen Digital Health und Smart Home, machen uns zudem zu
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