DGAP-News: AIXTRON bringt größte MOCVD-Anlage für GaN-LEDs auf den Markt

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AIXTRON bringt größte MOCVD-Anlage für GaN-LEDs auf den Markt

06.07.2011 / 08:20

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AIXTRON bringt größte MOCVD-Anlage für GaN*-LEDs auf den Markt

Aachen, 6. Juli 2011 – AIXTRON setzt einen neuen Maßstab für
MOCVD**-Anlagenkapazität, Durchsatz und LED-Produktionskosten.

Durch die Einführung der neuen AIXTRON CRIUS(R) II-L Anlage mit der
weltweit größten MOCVD-Reaktorkapazität können Kunden nun zwischen einer
Waferkonfiguration von 16×4-Zoll oder 69×2-Zoll wählen. Diese neue
Reaktorentwicklung basiert auf der in 2010 sehr erfolgreich eingeführten
und im Markt erprobten CRIUS(R) II Plattform, auf die die Kunden ihre
qualifizierten und effizienten LED-Prozesse bereits reibungslos
transferieren konnten.

–Die Senkung der Produktionskosten ist das ausschlaggebende Kriterium in
der LED-Industrie, besonders in Hinblick auf die Kostenreduktion der
LED-Beleuchtung. Wir haben die MOCVD relevanten Produktionskosten
analysiert und festgestellt, dass die Reaktorkapazität als
Schlüsselparameter die Betriebskosten am meisten beeinflusst–, erklärt Dr.
Rainer Beccard, Vice President Marketing bei AIXTRON.

–Der weltgrößte Reaktor der neuen CRIUS(R) II-L Anlage ist derzeit
einzigartig und führt, im Produktionsbetrieb getestet, zu einer schnelleren
Reduzierung der LED-Chipkosten. Neben unübertroffener Kapazität und
Durchsatz bietet die Anlage aufgrund ihrer erstklassigen Homogenität und
Reproduzierbarkeit außerordentliche Ausbeute.– Das Design des CRIUS(R) II-L
Reaktors sei für Wafergrößen von 2- bis 8-Zoll optimiert und biete noch
weiteres Potential zur Steigerung der Produktivität, so Dr. Beccard.

Wie auch die Vorgänger-Generationen basiert die CRIUS(R) II-L Anlage auf
dem Close Coupled Showerhead(R) (CCS)-Konzept, die Schlüsseltechnologie,
die sich durch reibungslosen und schnellen Prozesstransfer bewährt hat.Über die Jahre hat sich die in vielen Märkten etablierte CCS-Technologie
eine exzellente Anerkennung erarbeitet und ist besonders für ihre direkte
Prozesssteuerung, die gleichbleibend stabilen Prozesse und ausgezeichneten
Eigenschaften der LEDs bekannt.

* GaN LEDs, gallium nitride LEDs = Galliumnitrid LEDs
** MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische
Gasphasenabscheidung

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