DGAP-News: AIXTRON SE / Schlagwort(e): Produkteinführung/Sonstiges
AIXTRON bringt größte MOCVD-Anlage für GaN-LEDs auf den Markt
06.07.2011 / 08:20
———————————————————————
AIXTRON bringt größte MOCVD-Anlage für GaN*-LEDs auf den Markt
Aachen, 6. Juli 2011 – AIXTRON setzt einen neuen Maßstab für
MOCVD**-Anlagenkapazität, Durchsatz und LED-Produktionskosten.
Durch die Einführung der neuen AIXTRON CRIUS(R) II-L Anlage mit der
weltweit größten MOCVD-Reaktorkapazität können Kunden nun zwischen einer
Waferkonfiguration von 16×4-Zoll oder 69×2-Zoll wählen. Diese neue
Reaktorentwicklung basiert auf der in 2010 sehr erfolgreich eingeführten
und im Markt erprobten CRIUS(R) II Plattform, auf die die Kunden ihre
qualifizierten und effizienten LED-Prozesse bereits reibungslos
transferieren konnten.
–Die Senkung der Produktionskosten ist das ausschlaggebende Kriterium in
der LED-Industrie, besonders in Hinblick auf die Kostenreduktion der
LED-Beleuchtung. Wir haben die MOCVD relevanten Produktionskosten
analysiert und festgestellt, dass die Reaktorkapazität als
Schlüsselparameter die Betriebskosten am meisten beeinflusst–, erklärt Dr.
Rainer Beccard, Vice President Marketing bei AIXTRON.
–Der weltgrößte Reaktor der neuen CRIUS(R) II-L Anlage ist derzeit
einzigartig und führt, im Produktionsbetrieb getestet, zu einer schnelleren
Reduzierung der LED-Chipkosten. Neben unübertroffener Kapazität und
Durchsatz bietet die Anlage aufgrund ihrer erstklassigen Homogenität und
Reproduzierbarkeit außerordentliche Ausbeute.– Das Design des CRIUS(R) II-L
Reaktors sei für Wafergrößen von 2- bis 8-Zoll optimiert und biete noch
weiteres Potential zur Steigerung der Produktivität, so Dr. Beccard.
Wie auch die Vorgänger-Generationen basiert die CRIUS(R) II-L Anlage auf
dem Close Coupled Showerhead(R) (CCS)-Konzept, die Schlüsseltechnologie,
die sich durch reibungslosen und schnellen Prozesstransfer bewährt hat.Über die Jahre hat sich die in vielen Märkten etablierte CCS-Technologie
eine exzellente Anerkennung erarbeitet und ist besonders für ihre direkte
Prozesssteuerung, die gleichbleibend stabilen Prozesse und ausgezeichneten
Eigenschaften der LEDs bekannt.
* GaN LEDs, gallium nitride LEDs = Galliumnitrid LEDs
** MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische
Gasphasenabscheidung
Weitere Informationenüber AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ:
AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Kontakt:
Guido Pickert
Investor Relations and Corporate Communications
AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany
Phone: +49 241 8909 444, Fax: +49 241 8909 445, invest@aixtron.com
www.aixtron.com
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagenüber das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der –Safe
Harbor—Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation
Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie –können–, –werden–, –erwarten–,
–rechnen mit–, –erwägen–, –beabsichtigen–, –planen–, –glauben–,
–fortdauern– und –schätzen–, Abwandlungen solcher Begriffe oderähnliche
Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und
Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die tatsächlichen Ergebnisse und
Trends können wesentlich von unseren zukunftsgerichteten Aussagen
abweichen. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die
tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der
Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen
Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die
Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen
für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen,Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der
Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen,
Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der
Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeitöffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw.Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON inöffentlichen Berichten und Meldungen aufgeführt und bei der U.S.
Securities and Exchange Commission eingereicht hat. In dieser Mitteilung
enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen
Einschätzungen und Prognosen des Vorstands sowie den ihm derzeit
verfügbaren Informationen und haben Gültigkeit zum Zeitpunkt dieser
Mitteilung. AIXTRONübernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oderÜberprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen,
künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche
rechtliche Verpflichtung besteht.
Ende der Corporate News
———————————————————————
06.07.2011 Veröffentlichung einer Corporate News/Finanznachricht,übermittelt durch die DGAP – ein Unternehmen der EquityStory AG.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber
verantwortlich.
Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten,
Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen.
Medienarchiv unter http://www.dgap-medientreff.de und
http://www.dgap.de
———————————————————————
Sprache: Deutsch
Unternehmen: AIXTRON SE
Kaiserstr. 98
52134 Herzogenrath
Deutschland
Telefon: +49 (241) 8909-444
Fax: +49 (241) 8909-445
E-Mail: invest@aixtron.com
Internet: www.aixtron.com
ISIN: DE000A0WMPJ6, US0096061041
WKN: A0WMPJ
Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard);
Freiverkehr in Berlin, Düsseldorf, München, Stuttgart;
Terminbörse EUREX
Ende der Mitteilung DGAP News-Service
———————————————————————
131007 06.07.2011