VisIC Technologies – 9 kW GaN-Halbbrücke ohne Parallelschaltung

VisIC Technologies, ein Innovator von effizienter
Leistungselektronik basierend auf Galliumnitrid-Halbleitern (GaN),
hat ein neues wassergekühltes Halbbrücken-Evaluation-Board
angekündigt, um die Hochleistung, die durch seine GaN
All-Switches(TM) erreicht wird, zu demonstrieren (Advanced Low Loss
Switches; verlustarme Schalter).

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Die Evaluationsplattform kann in jeder Halbbrückentopologie
betrieben werden und wurde in Buck-and-Boost-Topologien (Auf-Abwärts)
von bis zu 9 kW unter Benutzung nur mit V22N65A-Einzeltransistoren
getestet. Dies ist die erste GaN-basierte Lösung auf dem Markt, die
eine Leistung bis zu 9 kW liefern kann, ohne auf Parallelschaltung
wechseln zu müssen, was sie ideal für High-Density On-Board-Chargers
(OBC) in Hybrid- und elektrischen Fahrzeugen macht.

Die V22N65A All-Switch(TM) SMD diskreten wassergekühlten Geräte
zeichnen sich durch sehr niedrige Durchlass- und Schaltverluste aus,
zusammen mit einem modernen isolierten Verpackungsdesign, was
Höchstleistung und Energie aus jedem GaN-Gerät ermöglicht.

Eine niedrige parasitäre Induktivität und das Gate-Loop-Design, in
Verbindung mit hoher Schwellenspannung (5 V), ermöglichen es
Entwicklern, VisIC GaN-Schalter bei Anwendungen mit hohem
Leistungsbedarf sicher im Multi-kW-Bereich zu verwenden.

Die V22N65A-HBEVB Evaluationsplattform umfasst Folgendes:

– Halbbrücken-Leistungsstufe mit 22 mOhm GaN All-Switches;
– Isolierter Halbbrückentreiber von Silicon Labs (Si82394);
– Zwei isolierte Notstromversorgungen von Murata (NXE251212MC);
– Leerlaufzeitkontrolle von 75 ns bis 200 ns;
– Hochstromstecker (85 A) von Wurth Electronics (74655095R)

Das All-In-One wassergekühlte V22N65A-HBEVB ist zum Preis von 600
USD erhältlich. Eine luftgekühlte Version ist zum Preis von 500 USD
erhältlich.

Für weitere Informationen schreiben Sie bitte an VisIC unter
info@visic-tech.com.

Ãœber VisIC Technologies:

Ansässig in Nes Ziona, Israel, wurde VisIC Technologies, Ltd. 2010
von Experten auf dem Bereich der Galliumnitrid-Technologie (GaN)
gegründet, um GaN-basierte Stromversorgungsprodukte zu entwickeln und
zu verkaufen. VisIC hat erfolgreich GaN-basierte
Hochleistungstransistoren und Module entwickelt, die jetzt auf den
Markt gebracht werden. (Es wird erwartet, dass GaN die meisten
Silikon-basierten Produkte (Si) ersetzen wird, die zurzeit in
Stromversorgungssystemen verwendet werden.) VisIC hat für die
GaN-Technologie wichtige Patente erhalten und weitere Patente sind
angemeldet. Weitere Informationen erhalten Sie unter:
http://www.visic-tech.com

7 Golda Meir

Nes Ziona

7403650

Israel

info@visic-tech.com

Pressekontakt:
+972-8-9171-193
Fax: +972-8-6909-467

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